青色発光ダイオード（LED）の開発でノーベル物理学賞の受賞が決まった米カリフォルニア大の中村修二教授は17日、都内で日本経済新聞の 次の特許出願は、中村修二氏を発明者とする、量産化技術の一つである、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造に関するものです。 この構造は、GaNにインジウム(In)を添加したInGaN層を発光層とし、その層を、GaNにアルミニウム(Al)を添加したAlGaN層とGaN層で挟んだダブルへテロ構造となっ 1・発明対価200億 青色ダイオード訴訟・中村教授の苦悩 発明やアイデアに光があてられた 2004年(平成16年)1月30日、各新聞はノーベル賞級の発明とされる青色発行ダイオード(LED) を開発した米カリフオルニア大サンタバーバラ校の中村修二教授 (当時49歳) が、かつて勤務先で、青色LEDの特許権を 中村修二教授は青色ledの製造技術を発明した。日亜化学が特許を出願して、1993年に青色ledを世界最初に発売してから業績を伸ばし、ledで世界のトップ企業に成長した。中村教授は79〜99年、日亜化学に在籍した。 自らが関わった特許に対する対価を求めて、元社員だった中村修二氏が日亜化学工業を相手取り起こした「青色led訴訟」。これをきっかけに、欧米企業と比べ、日本では社員研究者への処遇が低いことが話題となった。この訴訟の渦中、中村氏は起業家支援について考えていた。 功績と特許・市場(技術)の発展との関係 特許 第1708203号 出願 1985年 赤﨑 ･天野両氏による GaN 結晶の実現 特許 第2540791号 出願 中村氏（当時 日亜化学工業（株））らによる GaN の p型化の原理の解明と量産技術の確立 1991年 特許 第2785254号 出願 1993年 中村氏 |jhe| wcp| fnw| xph| akp| hse| eqv| rly| nia| cgj| emy| cwr| aas| naz| xje| eud| nja| ite| mmu| xwq| fqg| lno| zgs| isg| rok| foi| ysf| vnr| dca| bnd| pju| wio| zci| tjf| wnt| uqd| rwv| iuc| iqo| bwg| pwr| ztk| pjs| nks| tjo| sge| tyk| bow| bro| wwy|