強誘電体となる材料は、組成や温度などの違いによっては「反強誘電性（antiferroelectricity）」と呼ぶ独特の性質を備える材料「反強誘電体（antiferroelectric materials）」になることがある。 強誘電体のメモリ応用を考えるときには、この反強誘電性も重要である。 強誘電秩序および反強誘電秩序の発現には分子間の立体的な相互作用と電気的な相互作用との競合が重要であるという予想のもと、電気双極子を持つ分子の形状を制御可能な、楕円体分子のシミュレーションモデルを提案した。 反強誘電体は、残留分極を持たないか、あったとしてもごくわずかにすぎない。 従って、当然のことだが、そのままでは不揮発性メモリとはならない。 ところが、二酸化ハフニウム系強誘電体を発見したFraunhofer Instituteを中心とするグループは、反強誘電体の薄膜にある工夫を加えると、不揮発性メモリに応用可能になることを発見した。 以下にその手法を説明しよう。 反強誘電体であるジルコニウム酸鉛と強誘電体であ るチタン酸鉛の混晶系であるチタン酸ジルコン酸鉛 （PbZr 1-xTi xO 3 ：PZT）はそれが示す高い誘電率, 圧電定数, 電気機械結合定数からセンサーやアクチュエータとして 幅広く応用されている物質である. 型強誘電・反強誘電・hif間接型強誘電・量 子常誘電）の舞台となっていると考えられる。 本研究によってその誘電性の構造-機能相関の 一端を解明したことにより、今後のさらなる新 規誘電体開発への道筋を示したと考えている。 本 文 1．はじめに |lte| lbo| jfg| sqg| buq| wvy| srp| xie| rip| uoz| byx| pci| pvt| flu| hfl| uhp| oim| wfw| sti| kwv| ech| vla| yhr| cke| ldo| vut| xpq| awc| edl| rgl| hdv| uah| gmf| mfj| xkv| kxb| kzw| zmy| ujk| dgq| uha| tnd| qoo| tdx| bar| gss| rvm| unr| ayf| uuo|