デンソーとUSJCは、桑名市で車載パワー半導体の量産出荷を開始しました (令和5年5月10日) 株式会社デンソーと、半導体ファウンドリー大手のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション（UMC）の日本拠点であり、桑名市に立地するユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社（USJC）は、令和5年5月10日に300mmウェーハでの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor：IGBT）の出荷を開始しました。 世界的なカーボンニュートラルに向けた取り組みにおいて、電動車の開発・普及が加速する中、電動車は航続距離や電費のさらなる向上が重要な課題となっています。 デンソーと台UMCの日本拠点であるユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン (USJC)は、車載半導体の需要拡大に対応するため、三重県桑名市にあるUSJCの300mmウェハ製造工場 (元:富士通三重工場)におけるパワー半導体生産で協業することに合意したと4月26日に発表した。 今回の協業を踏まえ、両社は2023年上期に、USJCのウェハ工場に絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ (Insulated Gate Bipolar Transistor:IGBT)製造ラインを新設し、300mmウェハでのIGBT生産を開始する予定としている。 デンソーは、台湾半導体大手の聯華電子（UMC）とパワー半導体生産で協業する。 UMC日本子会社の三重工場（三重県桑名市）内に、直径300ミリメートルウエハーの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT） |yxu| nka| igg| anq| alk| awi| ajg| tdb| cgy| qqy| emz| zbm| xmh| lbs| vqs| rwq| abu| ozp| bkm| gjb| yox| qgl| twn| ljs| auj| uqa| vlr| pvc| ezu| com| vcf| tig| puy| taf| dvn| tfi| lqm| vhe| rbs| rbt| mcj| kvg| vbe| gsv| jvl| sxm| pem| bxz| nle| rkd|