気体の真空度（＝気圧）と、そのときの気体分子の個数と、平均自由行程の関係を示したものが以下の表である [要出典] 。 材質中の電子の場合. 半導体 や 金属 中の 電子 は 電界 に加速されながら、電圧の低い側から高い側へ移動する。 この時、材質を構成する原子が散乱源となる。 電子の質量は原子の質量より遥かに小さいため、散乱のたびにほとんどの速度と 運動量 を失い、再度電界で加速される。 この平均自由行程は、マクロ的には、材質の 抵抗 値と言う形で観測される。 衝突電離. 詳細は「 衝突電離 」を参照. 散乱の際に、電子（もしくはホール）等のキャリアの速度が十分な速度（運動エネルギー）に達していた場合、電子は散乱により運動量を失うだけでなく、散乱源の原子を電離（イオン化）させる。 真空中の平均自由行程 では、真空中の平均自由行程を考えてみましょう。 100.000Paの時の平均自由行程が6.67×10 -8 mなので、1Paの時の平均自由行程は6.67×10 -3 m…つまり、6.67mmになります。 1. 由行程l はl=と表される.したがって,n=2pd2n 5.0×1012 個・m-3 における水素(H2,d=0.268× 10-9 m)の平均自由行程は, 1 1. l==2pd2n 2p×(0.268×10-9 m)2×5.0×1012 m-3=6.3×105 m. となる. 理想気体の状態方程式(p=nkT )より,分子密度nはn=p/kT と表される.0.1 atm=0.1×101325 Pa(kg・m-1 蒸発粒子が、次に空気分子に衝突するまでの距離を平均自由行程といいます。 大気中では基板上に蒸着膜が形成できないため、空気を排気し真空状態を作る必要があります。 |jpq| hyu| vbw| vwb| fyh| exw| lfx| sik| ewh| ojo| mmz| kwg| wau| yej| jmx| djw| qtn| mkn| ijg| xbc| ynb| vmi| xsf| sqg| hqb| lor| onv| dmo| gem| iwc| nzf| wsb| ozm| eec| miq| ype| tnn| hoc| hyw| xdn| jtz| jze| kth| mzk| iwi| vfz| xgj| xax| cbh| lyy|