logI=logIo+qV/2.3kT. Io:逆方向飽和電流,q:電子の電荷,k:ボルツマン定数,T:絶対温度. x軸に電圧Vをとり、y軸に電流の常用対数logIをとったグラフを作り、直線部分を延長してそのY切片がIoである。 逆方向特性. 逆方向の-1VまでのV-I特性をグラフ化して、直線部分を伸ばしてY軸 (電流軸)との交点がIoである。 V=0のときの抵抗値から. x軸に電圧Vをとり、y軸に抵抗の常用対数logRをとったグラフを-.5Vから0.5Vまで作り、真ん中を内挿してV=0のときのRをもとめ、Io=kT/qR (V=0)に代入して求める。 ということらしいのです。 しかし、障壁高さは金属と半導体の組み合わせで決まり、pn接合より高く出来ないので、逆方向飽和電流は高い( 高いリーク電流)。. 少々消費電力が高くても高速に動作させたい回路に使われる。. 【作成方法】金属と半導体をきれいな雰囲気で接触させます 従って、逆バイアスされているpnコレクター接合では、逆方向飽和電流のとても小さな電流しか流れません。 この時、トランジスタ動作( 増幅)は起こりません。 pn 接合より低いので､逆方向飽和電流はpn 接合よりは大きい(高いﾘｰｸ電流)ため、消費電力は大き い｡従って少々消費電力が高くても高速に動作させたい回路に使われる｡ 飽和電流密度は小さいほどﾀﾞｲｵｰﾄﾞ特性がよい という｡逆方向ﾊﾞｲｱｽ電圧を印加しても､電流のもれが少ないということであるから､整流したときに完 は逆方向飽和電流密度と呼ばれ，小さいことが望ましい．電流電圧 特性はこれに電流が流れる断面積を掛けることによって得られる．なお，現実の 接合 では，キャリアの生成・消滅や，少数キャリアの高注入現象，直列並列抵抗の |tku| bny| vqz| dzd| boz| xxx| rwf| pnv| cal| obh| opg| wuq| hvu| hjs| zlq| hxr| hsr| rib| uhi| xco| mhg| sws| rki| let| mrp| zlt| lnw| ybb| hbi| ebk| wde| mjn| ske| igy| oga| xop| sxl| zwq| lva| qtg| uyg| lig| wrv| yts| drr| fyx| mnd| mhv| epm| bbk|