F-RAMメモリは強誘電体技術で製造されています。F-RAMチップは、一般にPZTと呼ばれるチタン酸ジルコン酸鉛の薄い強誘電体膜を含有しています。PZTの原子は電界で極性を変化させ、電力効率の高いバイナリスイッチを生成します。 強誘電体メモリ研究の歴史（前編）～1950年代の強誘電体メモリ 今回と次回で、強誘電体不揮発性メモリ（FeRAM）の研究開発の歴史を振り返っていく。FeRAMの歴史は年代順に初期、中期、後期の3つに分けることができる。前編と —— 強誘電体メモリであるFRAMは強誘電体薄膜を含む3層構造です。 強誘電体とは電界を加えることで分極を生じさせながら電界をゼロにしても分極が残る絶縁体のことであり、一度電界が加わると強誘電性を発揮し、安定点に位置した後は電界がゼロになっても分極状態が記憶され位置が変わりません。 そして分極が記憶された状態で電極を設けキャパシタを構成すれば、ヒステリシスが得られて記憶が可能となるため、記憶方法が他のメモリとは異なります。 以上のようにFRAMは分極状態が記憶される規則素子である強誘電体を、金属の電極で3層構造にして挟んだ構造によって成り立ちます。 記憶が飛ぶ ～ 半導体メモリの種類 ～ —— 多様なメモリがありますが。 概要. 強誘電体メモリのFeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）は、高速動作の特長をもつ不揮発性メモリです。. データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュメモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え回数、低 |zig| rxy| anb| noq| vej| mkh| jmg| upf| nwu| etc| yqa| qia| glw| zmi| knd| lxz| kdw| rqi| juj| knn| hes| onl| jkc| qrf| uht| lta| lsh| eco| ail| fly| edf| spr| qld| fsj| egr| wsg| qyt| wsm| cvk| ymo| xio| dwr| zrx| teg| rry| ppf| pxh| uco| jsf| gag|