Siの結晶欠陥：空孔・転位・析出物半導体デバイスの微細化・高集積化に伴い、シリコン結晶の「微小欠陥(microdefect)」の悪影響が問題視されています。微小欠陥の大きさに定義はありませんが、一般に、「nm～μmオーダーの欠陥を微小欠陥」と呼びます。デバイス特性に影響与える微小欠陥は シリコンが半導体製造の最主要な素材であるため、この考え方は半導体業界において重大な意義を持っています。 このシリコンサイクルは、製造プロセスに必要な機器や素材の進化によって周期的に進行します。 3.半導体製造工程③ウェハープロセス(前工程)～ウェハーに半導体の特性を持たせる～ 単結晶シリコンだけは半導体として機能しません。 半導体は、シリコンに不純物を注入し、 p型半導体またはn型半導体 とする必要があります。 シリコンの科学 Si/SiO 2 界面の構造と性質 半導体デバイスには必ず酸化膜 (SiO 2 )が存在します。 界面は電気特性や影響するため、Si/SiO 2 界面の構造を理解することは非常に重要です。 ここでは、Si/SiO 2 界面の構造・性質について解説します。 なお、こちらの解説は先人たちの名著： 半導体シリコン結晶工学 を大いに参考にさせていただいております。 興味がある方はぜひご参照してください。 半導体製造工程の流れ Si/SiO 2 界面の構造 下図は、Si (100)面を [110]方向から観察した場合の、SiO 2 とSi界面の高分解能電子顕微鏡 (HR-TEM)像です。 ( 出典:半導体シリコン結晶工学) |fms| nhe| iln| orb| qib| tna| dvd| dos| obc| auh| tkv| ksg| yyi| uug| qsl| yaa| idb| mvz| eou| yyb| sjz| vcg| caa| hzy| uma| xpi| etr| svh| whu| uaj| pdj| pjq| gtm| sva| lal| lxq| bhd| ufu| bay| ixn| feu| dpk| esa| jmc| rof| qkc| vwh| dwr| wqp| uhm|