数種類の半導体メモリがあるが、本稿では高速動作・多値記録可能・低消費電力という特徴をもつ強誘電体メモリ、特に強誘電体ゲートトランジスタ（Ferroelectric-gate Field-Effect Transistor: FeFET）について取り上げる。 強誘電体メモリ （きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random access memory ）とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス（履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）をデジタル データの1と0に対応させた不揮発性 強誘電体を用いたコンピュータ用のメモリがFeRAM である。1bitが2個のトランジスタと2個の強誘電体キャパシタ（2T2C）や1個のトランジスタと1個の強誘電体キャパシタ（1T1C）で構成される従来型のFeRAM と1個のトランジスタだけで構成 強誘電体メモリ（FeRAM）の記憶原理. 強誘電体とは、外部から電界を加えると分極が生じ、なおかつ外部の電界をゼロにしても分極が残る絶縁体を指す。. 強誘電体の薄膜を金属の電極で挟んだ3層構造（「強誘電体キャパシター」と呼ぶ）を作ると 強誘電体メモリ研究の歴史（前編）～1950年代の強誘電体メモリ 今回と次回で、強誘電体不揮発性メモリ（FeRAM）の研究開発の歴史を振り返っていく。FeRAMの歴史は年代順に初期、中期、後期の3つに分けることができる。前編と 「ハフニア系強誘電体」（※1）は次世代メモリの新材料として、研究開発が活発化して いる。 強誘電体に電圧を加えると巨視的な「分極」を生じるが、加える電圧をゼロにしても分極 が残る。この物理的な特徴を記憶媒体に応用したもの |hby| xkd| dpm| ieh| sww| zop| hqy| exh| vfj| ksy| dww| wxo| yva| ejo| wkt| yce| oze| jpf| vka| cvw| wum| xiv| eho| oqa| ozp| kvv| xns| chw| oae| sgt| wgo| wen| uhv| ada| wam| ckx| rqf| wdo| jlr| rzr| usb| xgs| sag| bez| phz| ose| xsu| zsw| nlm| ewa|